晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V transistors,NPN 40V 200mA 200mW,SOT-23
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V transistors,NPN 40V 200mA 200mW,SOT-23